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UT6KE5TCR

¥4.90
FET、MOSFET 陣列

100V 2.0A DUAL NCH+NCH, DFN2020-

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel
FET FeatureStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs207mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 50V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case6-PowerUDFN
Supplier Device PackageHUML2020L8

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產品 UT6KE5TCR

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