安費(fèi)諾連接器 德爾福 富士通繼電硬件滿足軟件需提供的整體
作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,自1984年以來(lái),德馳連接器 德爾福 富士通繼電器的接插件 端子插座插針解決方案在這一小規(guī)模上取得了巨大的飛躍。在我們的技術(shù)中,硬件滿足軟件需要提供整體方法來(lái)大規(guī)模生產(chǎn)硅片上的圖案。
接插件 端子插座插針如何工作
接插件 端子插座插針系統(tǒng)本質(zhì)上是投影系統(tǒng)。光通過(guò)將要打印的圖案的藍(lán)圖投射(稱為“掩模”或“光罩”)。藍(lán)圖比芯片上的預(yù)期圖案大四倍。利用在光線下編碼的圖案,系統(tǒng)的光學(xué)器件將圖案收縮并聚焦到光敏硅晶片上。在打印圖案之后,系統(tǒng)稍微移動(dòng)晶片并在晶片上進(jìn)行另一次復(fù)制。
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重復(fù)該過(guò)程直到晶片被圖案覆蓋,完成一層晶片的芯片。為了制造整個(gè)微芯片,該過(guò)程將重復(fù)100次或更多次,在圖案上方放置圖案。要打印的特征的大小取決于層,這意味著不同類型的接插件 端子插座插針系統(tǒng)用于不同的層 - 從我們最新一代的EUV(極紫外)系統(tǒng)到最老的DUV(深紫外)最大的系統(tǒng)。
EUV接插件 端子插座插針
德馳連接器 德爾福 富士通繼電器是世界上唯一使用極紫外光的接插件 端子插座插針機(jī)制造商。EUV接插件 端子插座插針技術(shù)使用波長(zhǎng)僅為13.5納米(接近X射線水平)的光,比使用193納米光的先進(jìn)芯片制造,DUV(深紫外)接插件 端子插座插針中的另一種接插件 端子插座插針解決方案減少了近14倍。
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我們的EUV平臺(tái)通過(guò)提供分辨率改進(jìn),最先進(jìn)的覆蓋性能和逐年降低成本來(lái)擴(kuò)展客戶的邏輯和DRAM路線圖。我們的EUV產(chǎn)品路線圖將推動(dòng)經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的擴(kuò)展到2030年及以后。
為了利用極紫外線的強(qiáng)大功能并將EUV接插件 端子插座插針技術(shù)推向市場(chǎng),德馳連接器 德爾福 富士通繼電器在20多年的持續(xù)研發(fā)中不得不應(yīng)對(duì)一些最大的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)包括接插件 端子插座插針系統(tǒng)架構(gòu)的基本范式轉(zhuǎn)變,例如在高真空中成像而不是空氣,使用超平面多層反射鏡代替透鏡,并通過(guò)用高功率激光蒸發(fā)錫液滴來(lái)產(chǎn)生所需的光。
高NA
我們正在開發(fā)具有更高數(shù)值孔徑0.55(“高NA”)的下一代EUV平臺(tái)。該平臺(tái)具有新穎的光學(xué)設(shè)計(jì)和明顯更快的階段。它將在未來(lái)十年內(nèi)實(shí)現(xiàn)幾何芯片擴(kuò)展,提供比我們當(dāng)前的EUV平臺(tái)高70%的分辨率和覆蓋能力。High-NA平臺(tái)旨在支持多個(gè)未來(lái)節(jié)點(diǎn),從3納米邏輯節(jié)點(diǎn)開始,然后是類似密度的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
DUV接插件 端子插座插針
我們的DUV(深紫外)平臺(tái)是業(yè)界的“主力”平臺(tái),提供浸入式和干式接插件 端子插座插針解決方案,有助于制造各種半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)和技術(shù)。我們的浸入式和干式系統(tǒng)在生產(chǎn)率,成像和覆蓋性能方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位,可用于大批量生產(chǎn)最先進(jìn)的邏輯和存儲(chǔ)芯片。我們的浸沒(méi)式系統(tǒng)可以提供單通和多通接插件 端子插座插針,并且設(shè)計(jì)用于與EUV接插件 端子插座插針相結(jié)合,以打印芯片的不同層。
計(jì)量和檢驗(yàn)
我們的計(jì)量解決方案可以快速測(cè)量硅晶圓上的成像性能,并將數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)反饋到接插件 端子插座插針系統(tǒng),有助于在大批量芯片制造中保持接插件 端子插座插針性能穩(wěn)定。我們的檢測(cè)解決方案有助于在數(shù)十億印刷圖案中定位和分析單個(gè)芯片缺陷。