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SH8KA4TB

¥6.84
FET、MOSFET 陣列

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
Technology-
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.4mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 15V
Power - Max3W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SH8KA4TB

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