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SH8K39GZETB

¥15.55
FET、MOSFET 陣列

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 200μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 30V
Power - Max1.4W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SH8K39GZETB

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