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QS8M51TR

¥10.30
FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs325mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V
Power - Max1.5W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SMD, Flat Lead
Supplier Device PackageTSMT8

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 QS8M51TR

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