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CSD17381F4R

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單 FET、MOSFET

PROTOTYPE

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs109mOhm @ 500mA, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds195 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package3-PICOSTAR
Package/ Case3-XFDFN

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD17381F4R

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