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EFC4C002NLTDG

¥0.00
FET、MOSFET 陣列

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6200pF @ 15V
Power - Max2.6W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-XFBGA, WLCSP
Supplier Device Package8-WLCSP (6x2.5)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 EFC4C002NLTDG

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