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STFI11N60M2-EP

¥0.00
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)25W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI2PAKFP (TO-281)
Package/ CaseTO-262-3 Full Pack, I2Pak

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STFI11N60M2-EP

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