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STP10NM60N

¥22.61
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package/ CaseTO-220-3

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STP10NM60N

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