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RQ3C150BCTB

¥8.57
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package/ Case8-PowerVDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RQ3C150BCTB

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