美光將于下月戰(zhàn)略重組，劃分四大核心部門
在人工智能浪潮推動下，高帶寬內存（HBM）正成為存儲巨頭的戰(zhàn)略要地。為加速追趕行業(yè)龍頭SK海力士，美光科技近日宣布啟動重大組織架構重組，并透露其下一代HBM4技術量產時間表，劍指2026年實現(xiàn)技術突破。
戰(zhàn)略重組：四大部門瞄準細分市場
美光將業(yè)務劃分為四大核心部門：
- 云內存業(yè)務部門（CMBU）：聚焦超大規(guī)模云服務商（如微軟、AWS）的定制化HBM及存儲解決方案，直接負責HBM技術研發(fā)與商業(yè)化；
- 核心數(shù)據中心業(yè)務部門（CDBU）：服務戴爾、慧與等OEM服務器客戶，滿足傳統(tǒng)數(shù)據中心需求；
- 移動與客戶端業(yè)務部門（MCBU）及汽車與嵌入式業(yè)務部門（AEBU）：分別深耕消費電子與汽車智能化市場。
此次調整旨在強化對AI關鍵客戶的服務能力。據韓媒etnews分析，CMBU的設立凸顯美光對云巨頭定制需求的重視，而CDBU與CMBU的分工則精準切分超大規(guī)?？蛻襞cOEM客戶的差異化需求。
Fluxless鍵合技術成HBM4關鍵
為突破當前HBM堆疊技術瓶頸，美光正加速推進下一代“Fluxless無焊劑鍵合”技術。根據業(yè)內人士近日透露，美光公司將從今年第二季度開始與各大后處理設備公司合作，對無助焊劑設備進行質量測試。
據了解，目前美光公司正在采用NCF（非導電粘合膜）工藝來制造HBM。該方法涉及將NCF材料插入每個DRAM堆棧，再使用TC粘合機通過熱壓縮將其連接起來其原理是NCF受熱熔化，連接DRAM之間的凸塊，固定整個芯片。
不過，現(xiàn)行NCF工藝在12層以上HBM3E堆疊中面臨材料填充不均、邊緣溢膠等問題，難以滿足HBM4（預計12-16層）更高密度需求。而根據制造商設備的不同，F(xiàn)luxless技術通過等離子體或甲酸等不同處理方式替代傳統(tǒng)助焊劑，直接去除凸塊氧化層，可提升堆疊可靠性與良率。
力圖縮小與SK海力士差距
如今，美光已與核心設備商達成深度合作。據The Elec報道，韓美半導體將向美光交付約50臺熱壓TC鍵合機，遠超2024年的交付量，為美光的HBM3E擴產鋪路；下一代HBM4產線設備采購與測試同步推進，目標2026年量產，2027-2028年推出更先進的HBM4E。
目前，美光12層HBM3E已向英偉達B300芯片供貨，但市場份額仍落后于SK海力士。據韓媒分析，此次重組與技術迭代雙管齊下，意在通過“定制化服務+前沿技術”組合拳爭奪AI芯片巨頭訂單。而三星電子同期啟動的無焊劑技術測試，則預示HBM4賽道將迎來更激烈的技術博弈。
美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新架構將于2025年5月生效，同期啟用新財務報告體系。隨著HBM在AI服務器中的滲透率持續(xù)攀升（TrendForce統(tǒng)計，2023年HBM占DRAM總產值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比預計將超過30%），美光此番戰(zhàn)略調整或為其在萬億級AI存儲市場中贏得關鍵席位。
